氮化硅生產(chǎn)工藝




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新型氮化硅陶瓷刀具的生產(chǎn)與應(yīng)用百度學(xué)術(shù)覃波年全國(guó)銅冶煉生產(chǎn)技術(shù)及產(chǎn)品應(yīng)用學(xué)術(shù)交流會(huì)本文敘述了我國(guó)新型氮化硅陶瓷刀具的生產(chǎn)工藝,以及新型氮化硅陶瓷刀具在機(jī)加工工業(yè)中的應(yīng)用實(shí)踐證明,新型氮化硅陶瓷刀具可以改變傳統(tǒng)工業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)狀,可大大提高生產(chǎn)效一種高含量氮化硅粉末的生產(chǎn)方法百度學(xué)術(shù)劉青蘭,呂品品,崔航航本發(fā)明公開了一種氮化硅粉末的生產(chǎn)方法,尤其涉及一種含量較高的生產(chǎn)新方法,屬無(wú)機(jī)化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。該方法首先采用機(jī)械活化對(duì)原料粉體進(jìn)行預(yù)處理,并在硅粉常壓高溫直接反應(yīng)燒結(jié)氮化硅的研制百度學(xué)術(shù)初小葵遼寧建材被引量本文研究了反應(yīng)燒結(jié)法制備反應(yīng)燒結(jié)氮化硅的生產(chǎn)工藝,討論了一些影響制品性能和氮化的因素,制備了較為理想的試樣。多晶硅和氮化硅的技術(shù)百度學(xué)術(shù)許世光半導(dǎo)體光電正一引言我所研制的硅電荷耦合器件是采用溝道多晶硅交迭柵結(jié)構(gòu)。本文主要敘述我們開展化學(xué)氣相淀積多晶硅和氮化硅工藝中的一些工作實(shí)踐和認(rèn)識(shí)。在大規(guī)模和超大規(guī)生產(chǎn)高溫氮化硅結(jié)合碳化硅窯具的工藝因素研究百度學(xué)術(shù)孫洪鳴中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)正根據(jù)幾年的生產(chǎn)及試驗(yàn)探索,對(duì)氮化硅結(jié)合碳化硅材質(zhì)窯具的生產(chǎn)工藝因素進(jìn)行了分析和研究。總結(jié)了漿料制備成型干燥氮化燒結(jié)氧化處理等具有規(guī)律性的工藝控制因素一種晶體硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)工藝本發(fā)明涉及一種電池生產(chǎn)工藝,更具體的講是一種晶體硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)工藝,其包括如下步驟制絨擴(kuò)散去除磷硅玻璃和沉積氮化硅硅片表面蝕刻烘干絲網(wǎng)印刷





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一種造粒燃燒合成氮化硅的生產(chǎn)方法百度學(xué)術(shù)聲宏,張英才,孔祥玖被引量本發(fā)明涉及一種采用燃燒合成工藝制備氮化硅粉末的方法。本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)是把工業(yè)原料硅粉與氮化硅稀釋劑的混合料磨細(xì)微米以下,用水溶液造粒,然后采用燃燒合制備氮化硅薄膜工藝百度學(xué)術(shù)簡(jiǎn)崇璽集成電路通訊被引量摘 要氮化硅摘要薄膜具有許多優(yōu)良特性,在半導(dǎo)體微電子和領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。本文簡(jiǎn)要介紹了利用方法制備摘要薄膜以及薄膜的特性,詳細(xì)介紹了低壓化學(xué)氣氮化硅生長(zhǎng)快速升降溫工藝生產(chǎn)機(jī)中國(guó)招標(biāo)網(wǎng)晶合集成電路有限公司吋爐管立式低壓氮化硅生長(zhǎng)快速升降溫工藝生產(chǎn)機(jī)臺(tái)和吋晶圓廠爐管立式低壓四乙氧基硅烷生長(zhǎng)工藝生產(chǎn)機(jī)臺(tái)國(guó)際招標(biāo)





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