氧化鋅制作方法
氧化鋅是一種常用的化學添加劑,廣泛地應(yīng)用于塑料、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料、藥膏、粘合劑、食品、電池、阻燃劑等產(chǎn)品的制作中。氧化鋅的能帶隙和
名稱:納米ZnOSnO的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種納米ZnOSnO2復合氧化物光催化劑的制備方法。 兩種不同禁帶寬度半導體的復合能增強電荷分離,抑制電子空穴
如果用物理氣相沉積方法制作ZnO薄膜,大家應(yīng)該馬上會聯(lián)想到磁控濺射鍍膜法,因為由磁控濺射鍍膜法制成的ZnO薄膜致密均勻、附著力大。其實,除了磁控濺射
本發(fā)明技術(shù)公開了一種低溫固化氧化鋅導電銀漿,其特征在于,由下列重量份的原料制成:銀粉3545、納米銅粉58、氧化鋅24、二氧化鈦13、三氧化鎢1.2
反應(yīng)條件溫和,產(chǎn)物均勻性較高,制備工藝成本低廉,制得的氧化鋅純度高。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,
本實用新型涉及避雷器技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種氧化鋅避雷器。 背景技術(shù): 打雷是自然的天氣現(xiàn)象,它對于人類的經(jīng)濟存在著巨大的威脅,隨著社會經(jīng)濟的不斷進步,國家的配電
回答：間接法氧化鋅 Zinc oxide 分子式(Formula): ZnO 分子量(Molecular Weight): 81.3894 CAS No.: 質(zhì)量指標(Specifiion) 外觀(Appeara
名稱:氧化鋅橡皮膏的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域:本實用新型涉及醫(yī)療護理用品技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種應(yīng)用于外科手術(shù)絆創(chuàng)、固定的橡皮膏。 背景技術(shù):目前在外科手術(shù)中,橡皮膏
氧化鋅是一種常用的化學添加劑,廣泛地應(yīng)用于塑料、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料、藥膏、粘合劑、食品、電池、阻燃劑等產(chǎn)品的制作中。氧化鋅的能帶隙和
磷化液的制作 和氧化鋅的用量發(fā)布日期: 瀏覽次數(shù):533 磷化液的制作 和氧化鋅的用量近找了一些磷化液的制作工藝一、磷化液的制造原料: 1.一般家庭式
用于油漆,合成甲醇的催化劑,是天然橡膠,人們正在開發(fā)利用作為金屬、氯化鋅等的制造.01—0。由于氧化鋅對紫外線吸收能力強、透明度均比歷來用的二氧化鈦微粒子好,
濰坊奧龍鋅業(yè)有限公司主要經(jīng)營范圍是間接法氧化鋅的生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品市場覆蓋橡膠輪胎、鋅鹽、表面處理、玻纖、軟磁、避雷器、壓敏電阻、陶瓷、涂料油漆、化妝品、飼料
本實用新型涉精細化工領(lǐng)域,具體涉及一種氧化鋅提取中氧化鋅煙氣的冷卻管道。 背景技術(shù): 現(xiàn)在通過鋅焙砂和鋅礦進行冶煉得到氧化鋅產(chǎn)品時,需要通過焙燒或沸騰爐進行
電腦版網(wǎng)頁:一種氧化鋅的干燥裝置的制作方法 本實用新型涉及一種干燥裝置,具體為一種氧化鋅的干燥裝置。 背景技術(shù): 氧化鋅是一種重要的陶瓷、半導體及
名稱:直接法連續(xù)性生產(chǎn)氧化鋅的鋅白爐的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域:本實用新型是涉及一種連續(xù)性、規(guī)?；a(chǎn)直接法氧化鋅的直接法連續(xù)性生產(chǎn)氧化鋅的鋅白爐。 背景
回答：金屬氧化物避雷器又稱金屬氧化鋅避雷器,它的閥片材料是由半導體氧化鋅和其他金屬氧化物(如氧化鉆、氧化錳等)在高溫(1000℃以上)下燒結(jié)而成。 氧
具體實施方式 下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進一步說明,但不于這些實施例。 實施例1 步驟(1).將300克吡啶硫酮鋅、200克氧化鋅和500克水加入研磨設(shè)
氧化鋅的制備方法分為三類:即直接法(亦稱美國法)、間接法(亦稱法國法)和濕化學法。目前許多市售氧化鋅多為
名稱:氧化鋅礦石除鉛、除鎘工藝的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明是涉及從氧化鋅礦石中除去鉛、鎘等揮發(fā)雜質(zhì)的一種氧化鋅礦石除鉛、除鎘工藝,氧化鋅礦石除鉛、除
名稱:碳酸氫銨中和法制取氧化鋅的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明涉及一種氧化物的制備方法,具體說是一種利用碳酸氫銨中和法制取氧化鋅的方法。 現(xiàn)有的制取氧化鋅的
名稱:活性氧化鋅生產(chǎn)新工藝的制作方法 技術(shù)領(lǐng)域:本發(fā)明屬于對氧化鋅生產(chǎn)工藝的改進,特別是生產(chǎn)高純度活性氧化鋅工藝的改進。 氧化鋅是一種重要的工業(yè)原料,它
目前,國內(nèi)外研究多的半導體光催化材料主要是金屬氧化物和硫化物,如Ti02,W03,ZnO,Fe203,CdS等。氧化鋅(ZnO)由于成本低廉、制備方法簡單、形貌易于控制、光催化性
